高压可控硅的主要参数

可控硅的主要参数
高压可控硅的主要参数有：
1、额定通态均匀电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的均匀值。
2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两真个正向峰值电压。高压可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在高压可控硅两真个反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4、控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的*小控制极电流和电压。
5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必须的*小阳极正向电流。
近年来，很多新型高压可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

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