可控硅的结构

       以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管*初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。　

       在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态。　　

       可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗显着增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用. 　　可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。　　

       可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通. 　　可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形.

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