三星半导体稳居龙头海力士全力冲刺缩小差距

　　三星半导体稳居龙头海力士全力冲刺缩小差距

　　在产品组合多样性、技术以及生产成本优势下，三星半导体**季在行动式内存的销售一举拿下七成的市占率，自有品牌Galaxy贡献良多，约占三星行动式内存总产出的3成;韩系厂商在行动式内存的市占率于**季突破八成，足见韩系厂商长期在行动式内存市场的布局与努力成效**。三星今年开始在市场策略上，将更专注LPDDR2，以及高容量多芯片封装(MCP)生产，TrendForce认为这是三星在行动式内存营收**对手的主因，下阶段三星将以深化客户对高容量LPDDR2的接受度为发展重点，做为下一波营收成长动力。同时，三星也积极在客户端推广应用于UltraBook的LPDDR3*16，虽然至今仍未通过JEDEC的认证规范，但若受到PCOEM厂商青睐，预计将更进一步扩大三星在行动式内存的市占率。

　　SK海力士方面，本季行动式内存产品线营收与上季相当，随着38nm制程良率逐步提升，不仅生产成本降低，生产比例也逐步提升，且LPDDR24Gb颗粒已受客户验证完毕，后续在高容量LPDDR2的出货量将稳定增加，可望在**季为获利表现加温。

　　尔必达与美光连手抗敌可望发挥垂直整合之效

　　虽然尔必达不断向客户承诺将持续出货，然而在财务问题尚未明朗化前，多数客户皆在备料计划上采取避险措施，以免其无预警减产或停产危及产线稳定，因此**季尔必达在行动式内存市占率以及营收上均受到不小冲击，不过尔必达在LPDDR2产品的质量相当受到客户肯定，随着与美光合并后财务危机尘埃落定，后续表现可望逐步复苏。

　　美光方面，伴随中国以及新兴市场对中低阶智能型手机需求强劲成长，低容量行动内存以及多芯片封装的产品线需求也随之提升。制程方面，美光积极转进30nm生产并提升良率，目前工程样品积极送测中。由于美光拥有NANDFlash及NORFlash产品搭配，因此其行动式内存产品配置多元且具弹性，尤其是多芯片封装MCP(4Gb+4GB)，被广泛应用于中低阶智能型手机以及功能型手机，对于营收有相当大的帮助。未来若与尔必达在高容量行动式内存有进一步的合作，产品垂直整合优势将会更进一步拓展其在行动式内存市占率。

　　台系厂市占仅2%南科押宝高容量行动式内存

　　就南亚科技而言，在美光的技术支持下，南科在**季已将30nm生产的行动式内存的工程样品送与多家客户测试，预估下半年将积极投入量产，以单芯片封装(Discrete)LPDDR2产品线切入行动式内存供货商的行列。华邦电子将在今年以自行开发的46nm制程生产LPDDR1256/512Mb行动式内存开拓商机，配合PseudoSRAM的产品线，可望扩大在功能型手机市场的市占率，逐步提升华邦电子行动式内存营收比重。